El Govern fa un pas més amb el centre de semiconductors avançats i constitueix el patronat de la Fundació InnoFAB

ACN Barcelona – El Govern ha fet un pas més amb el primer centre de semiconductors avançats de Catalunya i aquest dilluns ha constituït el patronat de la Fundació InnoFAB, l’entitat sense ànim de lucre encarregada de posar en marxa el projecte. La infraestructura s’ubicarà al Parc de l’Alba, a Cerdanyola de Vallès, es repartirà en tres edificis amb una superfície d’uns 22.000 m2 i comptarà amb una inversió propera els 400 milions d’euros. L’acte de constitució del patronat de la Fundació InnoFAB ha comptat amb la participació dels consellers de la Presidència, Albert Dalmau, d’Economia i Finances, Alícia Romero; d’Empresa i Treball, Miquel Sàmper; i de Recerca i Universitats, Núria Montserrat, així com el director general de Fons Europeus, Aleix Cubells.
A principis de gener, la Generalitat va adjudicar per 2,6 milions al grup IDP el projecte d’enginyeria bàsic per a la construcció d’aquest centre de semiconductors avançats. El projecte vol convertir Catalunya en un “actor clau” i va destinat a oferir un entorn únic per a empreses emergents i empreses en l’àmbit dels semiconductors, que potenciï les seves capacitats de fabricació i acceleri l’adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d’empresa, incloent-hi pimes i gran empresa. Els projectes executiu i constructiu d’InnoFAB s’haurien d’adjudicar, previsiblement, durant l’estiu del 2026.

El passat mes de març, el Govern va donar llum verda a la signatura d’un conveni entre la Generalitat i l’Estat per impulsar, desenvolupar i executar el projecte Innofab a Catalunya. Segons l’acord, la proposta representa una inversió de 398 milions d’euros. L’Estat hi aportarà 60 milions d’euros procedents del Pla de Recuperació, Transformació i Resiliència; la Generalitat n’hi invertirà 193, i s’hi afegirà un préstec complementari de 145 milions. El conveni, que tindrà una vigència inicial de quatre anys prorrogables quatre anys més, també preveu la creació d’una comissió de seguiment.

El nou centre comptarà amb tres edificis: el FAB (10.600 m2 distribuïts en quatre plantes), un altre d’oficines i laboratoris (7.300 m2) i un auxiliar de serveis (4.000 m2). En total, una superfície construïda de prop de 22.000 m2. També disposarà d’una sala blanca de més de 2.000 m2 des d’on es podran escalar processos de fabricació de xips a l’àmbit industrial. L’objectiu és fer d’Innofab una infraestructura per al desenvolupament de semiconductors i, juntament amb el Sincrotró Alba i el Barcelona Supercomputing Center, situar Catalunya entre les 50 regions més innovadores de la Unió Europea.